Створення нанокомпозитів на основі напівпровідникових cполук рутению та кадмію для елементів ГІС і мікроелектронних сенсорів

Якому пріоритетному напряму науки і техніки: нові речовини і матеріали.

Дослідження:  прикладне.

Перспектива подальшого виконання:  завершене.

Рівень дослідження:  немає аналогів в Україні.

Наявність патенту: 1 патент. 

Яких додаткових дій потребує подальше  дослідження: потребує фінансування для впровадження отриманих результатів.

Коротка характеристика, позитивні якості, подальша перспектива застосування.

Створено якісно нові гетерофазні нанокомпозитні напівпровідникові матеріали та неідеальні гетеропереходи для елементів гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікроелектронних сенсорів (МЕС), які мають суттєво кращі електрофізичні параметри і стабільність ніж у існуючих аналогів. Розроблені методи зниження деградаційних процесів композитних матеріалів і запропоновані методи підвищення стабілізації основних характеристик, варіювання і регулювання електрофізичними параметрами елементів ГІС та МЕС оптичного та рентгенівського зображень на базі неідеальних гетеропереходів.

Вперше у якості основного склоутворюючого компоненту замість токсичного оксиду свинцю використовувався оксид вісмуту, який надає можливість отримувати більш легкоплавкі стекла із значно зменшеною температурою початку розм’якшення 400 – 430оС, збільшеним питомим поверхневим опором, що робить цей матеріал перспективним для використання застосування в галузі приборобудівництва, при виготовленні товстоплівкових резисторів для роботи в високовольтній апаратурі з напругою (10 – 25) кВ, а також у якості скляного зв’язуючого товстоплівкових нанокомпозиційних елементів і діелектричних шарів багаторівневих ГІС.

Детальніше…