Призначення. Для освоєння нових технологій виробництва матеріалів, їх оброблення і з’єднання, створення індустрії наноматеріалів та нанотехнологій. Вирішує проблеми: низької радіаційної стійкості матеріалів (Si, Ge); низької радіаційної стійкості традиційних сонячних елементів.
Галузь застосування. Енергозбереження, фундаментальні наукові дослідження, оптоелектроніка, енергетика, радіаційні технології.
Переваги. Дешеві та широко розповсюджені матеріали; висока радіаційна стійкість халькогенідів елементів другої та третьої груп типу (3АІІВVI)1-x(CIII 2BVI 3)х, (зокрема Hg3In2Te6, Cd3In2Te6, тощо); висока радіаційна стійкість сонячних елементів на основі даних халькогенідних матеріалів.
Опис. Розробка передбачає синтез та вирощування напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів елементів другої та третьої груп типу (3АІІВVI)1-x(CIII 2BVI 3)х, (зокрема Hg3In2Te6, Cd3In2Te6, тощо) та напилення тонких плівок на їх основі з високою радіаційною стійкістю до іонізуючого випромінювання. На основі одержаних матеріалів створення сонячних елементів шляхом нанесення на ці матеріали широкозонних оксидних та нітридних тонких плівок в якості вікна.