Зарядові та розмірні ефекти в наноструктурах і кластерах

Призначення. Для інтерпретації експериментальних вольт-амперних характеристик тунельних структур на металевих квантових точках. 

Галузь застосування. Організації, що виконують дослідницькі роботи в галузі нанотехнологій

Переваги. Фундаментальні дослідження проводяться в руслі світових перспективних досліджень з нанофізики. Метод розрахунку мініатюрних тунельних структур дає змогу інтерперетувати експериментальні вольт-амперні характеристики, не удаючись до розповсюдженого, але не завжди здатного відобразити повну фізичну картину, підходу із використанням схемотехнічних підгінних параметрів. Запропонований метод розрахунку оптичних характеристик відрізняється більш повним врахуванням ефектів розмірного квантування. Запропонований метод розрахунку впливу деформації та діелектричного покриття металевої поверхні на енергетичні характеристики металу відрізняється більш повним врахуванням ефектів розмірного квантування.

Техніко-економічний ефект. Робота носить цілком фундаментальний і теоретичний характер, показники роботи – впровадження в навчальний процес підготовки фахівців з спеціальності 8.050801 “Мікро- та наноелектроніка”, публікації у наукових журналах та участь в конференціях.

Опис. Розроблено оригінальний метод розрахунку вольт-амперних характеристик тунельних структур на металевих квантових точках. Вперше розрахунки виконані із використанням реалістичного (нееквідестантного) спектра, завдяки чому виявлено, що розмірна залежність струмової щілини може мати немонотонних характер, пов’язаний із магічністю кластерів. Побудовано теорію оптичних характеристик субатомних металевих плівок і дротиків. В розрахунках враховані специфічні особливості, пов’язані з розмірним квантуванням і немонотонною залежністю енергії Фермі від товщини. Дослідження впливу деформації та діелектричного покриття металевої поверхні на енергетичні характеристики металу показали, що діелектричне покриття призводить до зменшення роботи виходу і збільшенню поверхневої енергії.

Детальніше…