ПРИЗНАЧЕННЯ:
Розроблені фоточутливі наноструктури на основі поруватого кремнію та цинку оксиду можуть бути використані для виробництва напівпровідникових фотоприймачів, каскадних фотоелектричних перетворювачів і детекторів електромагнітного випромінювання у широкому спектральному діапазоні.
ОПИС:
Створено фоточутливі структури на основі поруватого кремнію і електрохімічно осаджених на його поверхню масивів ZnO, які характеризуються широким спектральним діапазоном чутливості – від ультрафіолетового до ближнього інфрачервоного випромінювання. Розроблено поопераційну технологію отримання фоточутливих структур завдяки застосуванню нових технологічних прийомів, які дадуть змогу спростити технологічний процес отримання фотодетекторів і розширити їх спектральну чутливість.
ПЕРЕВАГИ:
Спосіб дає змогу спростити і здешевити технологію отримання фотодетекторів, оскільки не передбачає використання вартісного обладнання, складних, тривалих та енерго- і матеріаловитратних процедур. Виготовлення фоточутливих структур з використанням доступних, дешевих та екологічно чистих матеріалів забезпечує високу чутливість у спектральному діапазоні 400–1000 нм, яка зумовлена великою площею поглинаючої поверхні та різною шириною забороненої зони нанокристалів ZnO, поруватого кремнію і кремнієвої підкладки.
РЕКОМЕНДОВАНА ГАЛУЗЬ ВИКОРИСТАННЯ:
Радіоелектронне та оптоелектронне приладобудування.
ЯКЩО ВАС ЗАЦІКАВИЛА ДАНА РОЗРОБКА, БУДЬ-ЛАСКА,
НАПИШІТЬ НАМ