Якому пріоритетному напряму науки і техніки відповідає: енергетика та енергоефективність;
Дослідження: прикладне.
Перспектива подальшого виконання: буде завершене;
Рівень дослідження: немає аналогів в Україні;
Наявність патенту: немає.
Коротка характеристика, позитивні якості, подальша перспектива застосування.
Основні результати даного проекту мають практичне значення для галузей напівпровідникового матеріалознавства та приладобудування. Серед таких результатів слід відзначити такі.
Розроблено метод і технологія модифікації параметрів елементарних напівпровідників та сполук шляхом опромінення швидкими електронами.
Запропоновано методику модифікації властивостей твердих розчинів сполук груп А2В6, А3В5 для інжекційних лазерів і світлодіодів на основі GaP.
Розроблено методику й технологію радіаційної модифікації параметрів Cd0,2Hg0,8Te для зменшення темнового опору і струму, керування порогом чутливості, інерційністю й спектральною характеристикою фотоприймачів.
Розроблено методи підвищення радіаційної стійкості детекторів ІВ на CdZnTe, зменшення темнового струму.
Розроблено методи розрахунку характеристик поля ІВ та дозиметричного супроводу під час проведення радіаційної модифікації.
Для підвищення радіаційної стійкості рекомендовано новий конструктивно-технологічний варіант ІЧ-фоторезистора на основі монокристалічного потрійного з’єднання кадмій-ртуть-телур. Відмінною особливістю технологічного процесу виготовлення фотоприймача є відсутність операцій, які можуть стимулювати процеси деградації електрофізичних властивостей матеріалу активного елементу.
Для контролю флюєнса нейтронів в роботі застосовано метод нейтронно-активаційного аналізу. Для цього розроблені спектрометричні вимірювальні канали гамма-випромінювання на основі CdZnTe-детекторів. Застосовано засоби типу SDP310, які мають високу радіаційну стійкість, що дозволяє вимірювання потужних доз гамма і електронного випромінювання. Виготовлено макетний зразок спектрометра, що дозволило удосконалити дозиметричне забезпечення при опроміненні зразків, в першу чергу, нейтронами.
Рекомендовано застосування розробленої технології радіаційної обробки швидкими електронами напівпровідникових мікросхем, використовуваних в якості первинних перетворювачів температури. В результаті такої обробки температурний коефіцієнт напруги первинних перетворювачів збільшується в залежності від величини дози.
Отримані дані рекомендуються виробникам мікросхем для вдосконалення технологічних процесів їх виробництва, а також замовникам – для розробки доповнень до технічних умов на мікросхеми спеціального призначення.