Призначення. Для нових високочутливих фотоприймачів для інфрачервоного діапазону довжин хвиль (2,5-3,5мкм).
Технічні характеристики. Для промислового виробництва фоточутливих модулів необхідні пластини InSb з концентрацією донорів 5•1014-2•1015 см- 3, деталі сапфірових корпусів, сучасна технологічна лінія мікроелектронних технологій яка включає установки імплантації Ве спеціалізовані установки плазмохімічних обробок, мікроскладальні установки і спеціалізоване вимірювальне обладнання.
Галузь застосування. Розроблення і виробництво приладобудування спеціального призначення.
Переваги. Основні переваги зазначеної технології полягають у наступному: високий рівень уніфікації конструкцій і технологій виробництва, можливість виготовлення нових видів продукції, висока чутливість фотомодулів, можливість зміни спектрального діапозону фотомодулів, низька споживна потужність, висока щільність упаковки.
Техніко-економічний ефект. Оцінка річної потреби на випуск фотомодулів у техніці спеціального призначення складає орієнтовно 3000 шт. на рік. Витрати на впровадження технології в серійне виробництво оцінено в 480 млн.грн. В перший рік випуску вартість одиниці продукції визначено за результатами виготовлення дослідних партій. Впровадження технології є важливим для забезпечення обороноздатності України, а також сприятиме створенню робочих місць у приладобудівних галузях.
Опис. Суть технології – базується на створенні серії InSb фоточутливих модулів для інфрачервоного діапазону довжин хвиль (2,5-5,5 мкм). Для цього використовуються пластини монокристалічного InSb з n-типу з концентрацією донорів 5•1014- 2•1015 см-3. Корпусовані фотомодулі при робочих кріогенних температурах (80+2 °К) які мають інтегральну фоточутливість 0,7-1,0 А/В при опромінювані від абсолютно чорного тіла з температурою 500°К. Розробка багатоелементних фоточутливих модулів з концентрацією носіїв заряду 5•1014- 2•1015 см-3. Методом імплантації іонів Ве+ і послідовного прецизійного відпалу формується p+-n перехід. Далі методами мікроелектронних технологій з використанням плазмових обробок формуються окремі фотоелементи з захищеним p+-n переходом. Контакти до p+ і n+ областей і необхідні елементи топології формуються методом вакуумного напилення тонких шарів типу Ti-Au з послідуючим гальванічним осадженням Au. Пластини розділяються на кристали методом дискової різки. Кристали монтуються в оригінальний сапфіровий корпус методом мікрозбиральних технологій. Параметри ВАХ і фоточутливості в інфрачервоному діапазоні (2,5-5,5мкм) проводяться в типовому режимі експлуатації елементів фотомодуля при зворотній напрузі 10 мВ та при температурі плати кріостату 80,0 °К.