Призначення. Технологія призначена для спрощення виготовлення, розширення області фоточутливості та сфери застосування, а також радіаційної стійкості фотоприймача шляхом зміни операцій технологічного процесу.
Опис. Технологія одержання чутливого елементу для фотоприймача ІЧ-випромінювання спрямована на розширення області фоточутливості та сфери застосування, а також радіаційної стійкості такого фотоприймача. В якості матеріалу, з якого одержувався чутливий елемент, використовувався монокристал кремнію n-типу провідності, який вирощений за методом Чохральського та легований домішкою фосфору, концентрацією 2,2•1016 см-3. Даний чутливий елемент виготовлявся у формі прямокутного паралелепіпеда та опромінювався пучками електронів з енергією 12 МеВ в межах від 5•1016 до 3•1017 ел./см2. При цьому одержаний з використанням запропонованої технології монокристал кремнію та відповідно чутливий елемент буде одночасно фоточутливим при довжинах хвиль λ=1,1 мкм, λ=11,6 мкм та λ=12 мкм інфрачервоного випромінювання.
Технічні характеристики. Чутливий елемент фотоприймача ІЧ-випромінювання виготовлений на основі опромінених електронами з енергією 12 МеВ та потоком до 3•1017 ел./см2 монокристалів кремнію, легованих в процесі вирощування за методом Чохральського домішкою фосфору, концентрацією 2,2•1016 см-3, у формі прямокутного паралелепіпеда, є фоточутливим до довжин хвиль λ=1,1 мкм, λ=11,6 мкм та λ=12 мкм інфрачервоного випромінювання.
Переваги. Відносно низька вартість, висока радіаційна стійкість, здатність фіксувати як короткохвильовий, так і довгохвильовий діапазон ІЧ-випромінювання.
Галузь застосування. Приладобудування, телекомунікація, будівництво, фотоелектроніка, медицина.
Новизна. 1 патент України.
Стадія готовності технології. На стадії тестування.
Пропозиції до співпраці. Продаж патентів.