Призначення. Для створення вітчизняного детекторного матеріалу.
Галузь застосування. Електроніка, фундаментальні наукові дослідження, національна безпека та оборона, оптика, оптоелектроніка, радіаційні технології.
Переваги. Більший вихід однорідного матеріалу; вищий опір (менші струми детектування); стійкість до радіації.
Опис. Розроблено методи синтезу і вирощування кристалів Cd(Mn)Te, які мають високий опір (>1010 Ом*см), великий добуток µτ (~5*10-3 см2 /B); створено контакти на основі бар’єрів Шотткі, які дозволяють забезпечити хороші детектуючі властивості.