ОПИС:
Запропоновано неорганічний фоторезист у вигляді тонких плівок халькогенідного скла, нанесеного на підкладку за допомогою термічного випаровування у вакуумі. Відомо, що фізико-хімічні властивості таких шарів можуть змінюватися під дією світла чи електронних потоків. Використовуючи розроблені селективні травники, отримується позитивний чи негативний резистивний ефект: швидкість розчинення експонованого фоторезисту значно вища чи нижча, ніж неекспонованого. Халькогенідні фоторезисти можуть наноситись як на плоскі підкладки, так і на вироби складної форми. Дослідження механізмів фотостимульованих перетворень дозволило розробити тонкоплівкові фоточутливі середовища з унікальними характеристиками. Розроблені також технологічні процеси використання цих неорганічних фоторезистів у фотолітографії, у виробництві дифракційних оптичних елементів (дифракційних граток, лінз Френеля та їх матриць), в голографії (для запису рельєфно-фазових голограм), для прямого мастерінгу оптичних дисків.
ХАРАКТЕРИСТИКИ:
-
- роздільна здатність – власна роздільна здатність шару халькогеніду – 1 нм;
- чутливість до – ультрафіолет., видима, ближня ІЧ- область спектру, електронні та іонні потоки;
- величина чутливості:
- при запису голограм та фотолітографії – 5 – 50 см2/Дж;
- при лазерній літографії – до 300 см2/Дж;
- метод нанесення – термічне випаровування у вакуумі;
- післяекспозиційна обробка – рідинне травлення.
ПЕРЕВАГИ ПЕРЕД АНАЛОГАМИ:
В порівнянні з існуючими аналогами розроблений халькогенідний фоторезист характеризується термічною стійкістю (до 400° C), відсутністю усадок під час післяекспозиційної обробки, механічною міцністю та хімічною стійкістю. Технологічність використання неорганічних халькогенідних фоторезистів, оскільки халькогенідні плівки можна осаджувати дуже однорідними як за товщиною, так і за складом і вони можуть застосовуватись в тих же технологічних процесах, що і функціональні шари в мікроелектроніці.
ПРИЗНАЧЕННЯ:
Оптична та лазерна літографія, голографія, виробництво дифракційних оптичних елементів (дифракційних граток, лінз Френеля та їх матриць), нанооптичних приладів (субхвильових граток з періодом до 100 нм), оптичних дисків- оригіналів та райдужних голограм. Для цих фоторезистів властиве велике значення показника заломлення(2.3-3, а інколи і вище), вони стабільні і не потребують будь-якої термічної обробки, прозорі в інфрачервоній (ІЧ)області спектру (від 600 нм до 12-15 мкм). Такі характеристики дозволяють використовувати халькогенідні фоторезисти для виготовлення ефективних дифракційних граток, лінійок ІЧ-мікролінз, мікролінз для оптичних волокон в поєднанні з дво- та трирозмірними фотонними кристалами.
РЕКОМЕНДОВАНА ГАЛУЗЬ ВИКОРИСТАННЯ:
У фотолітографії, в голографії, у виробництві дифракційних оптичних елементів.
РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ:
Готово до впровадження.
СТАДІЯ ГОТОВНОСТІ РОЗРОБКИ:
Готово до впровадження.
МОЖЛИВІСТЬ ПЕРЕДАЧІ:
Продаж патентів. Продаж ліцензій. Продаж технічної документації. Спільне доведення до промислового рівня.
НОВИЗНА:
1 патент України.