Неорганічний фоторезист

ОПИС:

Запропоновано неорганічний фоторезист у вигляді тонких плівок халькогенідного скла, нанесеного на підкладку за допомогою термічного випаровування у вакуумі. Відомо, що фізико-хімічні властивості таких шарів можуть змінюватися під дією світла чи електронних потоків. Використовуючи розроблені селективні травники, отримується позитивний чи негативний резистивний ефект: швидкість розчинення експонованого фоторезисту значно вища чи нижча, ніж неекспонованого. Халькогенідні фоторезисти можуть наноситись як на плоскі підкладки, так і на вироби складної форми. Дослідження механізмів фотостимульованих перетворень дозволило розробити тонкоплівкові фоточутливі середовища з унікальними характеристиками. Розроблені також технологічні процеси використання цих неорганічних фоторезистів у фотолітографії, у виробництві дифракційних оптичних елементів (дифракційних граток, лінз Френеля та їх матриць), в голографії (для запису рельєфно-фазових голограм), для прямого мастерінгу оптичних дисків.

ХАРАКТЕРИСТИКИ:

    • роздільна здатність – власна роздільна здатність шару халькогеніду – 1 нм;
    • чутливість до – ультрафіолет., видима, ближня ІЧ- область спектру, електронні та іонні потоки;
    • величина чутливості:
      • при запису голограм та фотолітографії – 5 – 50 см2/Дж;
      • при лазерній літографії – до 300 см2/Дж;
    • метод нанесення – термічне випаровування у вакуумі;
    • післяекспозиційна обробка – рідинне травлення.

ПЕРЕВАГИ ПЕРЕД АНАЛОГАМИ:

В порівнянні з існуючими аналогами розроблений халькогенідний фоторезист характеризується термічною стійкістю (до 400° C), відсутністю усадок під час післяекспозиційної обробки, механічною міцністю та хімічною стійкістю. Технологічність використання неорганічних халькогенідних фоторезистів, оскільки халькогенідні плівки можна осаджувати дуже однорідними як за товщиною, так і за складом і вони можуть застосовуватись в тих же технологічних процесах, що і функціональні шари в мікроелектроніці.

ПРИЗНАЧЕННЯ:

Оптична та лазерна літографія, голографія, виробництво дифракційних оптичних елементів (дифракційних граток, лінз Френеля та їх матриць), нанооптичних приладів (субхвильових граток з періодом до 100 нм), оптичних дисків- оригіналів та райдужних голограм. Для цих фоторезистів властиве велике значення показника заломлення(2.3-3, а інколи і вище), вони стабільні і не потребують будь-якої термічної обробки, прозорі в інфрачервоній (ІЧ)області спектру (від 600 нм до 12-15 мкм). Такі характеристики дозволяють використовувати халькогенідні фоторезисти для виготовлення ефективних дифракційних граток, лінійок ІЧ-мікролінз, мікролінз для оптичних волокон в поєднанні з дво- та трирозмірними фотонними кристалами.

РЕКОМЕНДОВАНА ГАЛУЗЬ ВИКОРИСТАННЯ:

У фотолітографії, в голографії, у виробництві дифракційних оптичних елементів.

РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ:

Готово до впровадження.

СТАДІЯ ГОТОВНОСТІ РОЗРОБКИ:

Готово до впровадження.

МОЖЛИВІСТЬ ПЕРЕДАЧІ:

Продаж патентів. Продаж ліцензій. Продаж технічної документації. Спільне доведення до промислового рівня.

НОВИЗНА:

1 патент України.

Детальніше…