Основні пропозиції для обговорення: проведення експериментальних досліджень, спільне доопрацювання розробки до промислового рівня, виконання робіт на замовлення.
Сфера реалізації та застосування проєкту (стартапу): енергозбереження, фундаментальні наукові дослідження, оптоелектроніка, енергетика, радіаційні технології.
Галузь застосування проекту (стартапу): Освоєння нових технологій виробництва матеріалів, їх оброблення і з’єднання, створення індустрії наноматеріалів та нанотехнологій.
Опис проекту (стартапу): Розробка передбачає синтез та вирощування напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів елементів другої та третьої груп типу (3АІІВVI)1-x(CIII2BVI3)х, (зокрема Hg3In2Te6, Cd3In2Te6, тощо) та напилення тонких плівок на їх основі з високою радіаційною стійкістю до іонізуючого випромінювання. На основі одержаних матеріалів створення сонячних елементів шляхом нанесення на ці матеріали широкозонних оксидних та нітридних тонких плівок в якості вікна.
Ринки, на які орієнтовано проєкт (стартап): Підприємства, установи, організації на території України та за її межами.
Опис проблеми, яку вирішує проєкт (стартап): Вирішує проблеми: низької радіаційної стійкості матеріалів (Si, Ge); низької радіаційної стійкості традиційних сонячних елементів.
Технічний результат: Методика синтезу та вирощування напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів елементів другої та третьої груп типу (3АІІВVI)1-x(CIII2BVI3)х, (зокрема Hg3In2Te6, Cd3In2Te6, тощо) та напилення тонких плівок на їх основі.
Конкурентні переваги та новизна проєкту (стартапу): дешеві та широко розповсюджені матеріали; висока радіаційна стійкість халькогенідів елементів другої та третьої груп типу (3АІІВVI)1-x(CIII2BVI3)х, (зокрема Hg3In2Te6, Cd3In2Te6, тощо); висока радіаційна стійкість сонячних елементів на основі даних халькогенідних матеріалів.
На якому етапі знаходиться проєкт (стартап): Методика синтезу та вирощування напівпровідникових кристалів.
Орієнтовна вартість для впровадження проєкту (стартапу): 1,2 млн грн.