Призначення:
Для прецизійної обробки виробів мікро- і наноелектроніки, НВЧ та обчислювальної техніки тощо.
Характеристики:
-
- Керована енергія іонів — 20 до 800 еВ.
- Можлива обробка пластин діаметром до 200 мм.
- Швидкість анізотропної переробки, мкм/хв: Si — 0,7; W — 0,2; Au — 0,03; Al — 0,4; SiO2 — 0,2; SiC — 0,15; Ti — 1,0; Pt — 0,015; Ge — 4,0; GaAs — 0,1; Si3 N4 — 0,2; TiN — 0,2; GaN — 0,07.
- Швидкість ізотропної переробки, мкм/хв:
- GaAs — 0,5, однієї пластини Si – 3.
- Робочий тиск — 10–3—10–1 мм рт. ст.,
- Анізотропія переробки — 10.
- Нерівномірність переробки — ±5 %.
- Напруженість магнітного поля 20—200 Е.
Галузь:
Приладобудування.
Переваги:
Не має аналогів. Розроблено технології плазмохімічної переробки більшості матеріалів, які зустрічаються в мікросхемах різного призначення, у тому числі карбіду кремнію та нітриду галію, та інших нано- і мікроструктур.