Призначення. Для створення або модернізації приладів нічного бачення, побудованих на приладах з зарядовим зв’язком та лавинним множенням електронів.
Технічні характеристики:
- Орієнтація підкладки 100
- Тип підкладки р
- Опір підкладки 0.05 Ом х см
- Тип епітаксійного шару р
- Опір епітаксійного шару 30 Ом х см
- Товщина епітаксійного шару 20 мкм
- Кількість фотошаблонів 22
- Мінімальний розмір пікселя (проектні норми) 0.5 мкм
- Кількість шарів полі Si 4
- Кількість шарів металізації 2
- Напруга живлення 12 В
- Товщина підзатворного діелектрика 30нм SiO2 +35 Si3N4
Галузь застосування. Виробництво інтегральних схем
Переваги. Об’єднані переваги КМОН процесів – висока чутливість фотодіодів, можливість зміни спектрального діапазону фотодіода, низька споживана потужність периферійних схем, висока щільність упаковки для реалізації цифрових функцій, та ПЗЗ процесів – низький рівень шуму, можливість реалізації множення електронів.
Техніко-економічний ефект. Якщо оцінити річну потребу та відповідно випуск продукції для використання в військовій та іншій техніці в 5000 штук, то при витратах на впровадження технології в 732 млн. грн. та в 183 млн. грн. операційних витрат на рік (по валютному курсу НБУ на теперішній час), то в перший рік випуску вартість одиниці продукції буде складати 182,8 тис. грн.
Опис. Комбінована технологія КМОН (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник) та ПЗЗ , яка використовує спеціалізований ПЗЗ-регістр, на якому відбувається кероване лавинне множення електронів. Це дає можливість покращити параметри камер спостереження в умовах наднизького освітлення без використання зовнішніх підсилювачів зображення. В рамках технології використовується епітаксійна кремнієва пластина, 4 рівні полікристалічного кремнію, 2 рівні металізації, технологічні процеси КМОН та ПЗЗ.