Призначення. Для освоєння нових технологій виробництва матеріалів, їх оброблення і з’єднання, створення індустрії наноматеріалів та нанотехнологій.
Галузь застосування. Електроніка, фундаментальні наукові дослідження, медицина, мікроелектроніка, нанотехнології, оптоелектроніка, радіаційні технології.
Переваги. Дешевші в порівнянні з комерційно доступними детекторами на основі In/CdTe/Pt; використовуються дешеві та широко розповсюджені матеріали для виготовлення детекторів; висока радіаційна стійкість детекторів іонізуючого випромінювання.
Опис. Розробка передбачає виготовлення детекторів іонізуючого випромінювання на основі діодів Шотткі та гетеропереходів виготовлених з напівпровідникових кристалів халькогенідів Hg3In2Te6, CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd3In2Te6 та напилених на них тонких плівок металів, оксидів та нітридів металів.