Призначення. Для підвищення оптичної якості вирощуваних діелектричних кристалів та збільшенні їх габаритів для потреб функціональної електроніки..
Технічні характеристики. Експериментальні зразки матеріалу для функціональної електроніки готуються з суміші оксидів Bi2O3 та TeO2 і вирощування кристалів методом Чохральського з подвійного тигля; вирощування кристалів здійснюють витягуванням кристалу зі швидкістю витягування 0,2 – 0,4 мм/год та швидкістю обертання 8 – 10 об/хв.
Галузь застосування. Функціональна електроніка подвійного призначення, приладобудування на підприємствах Укроборонпрому і космічної галузі.
Переваги. Розроблена технологія враховує те, що в результаті двостадійного процесу приготування шихти здійснюється повна реакція між вихідними компонентами та утворюється майже стехіометрична система, а також випаровування оксиду телуру із зовнішньої частини тигля, яке є набагато інтенсивнішим, утворює насичену пару TeO2 поблизу поверхні розділу кристал–рідина у внутрішній частині тигля. Підібрані параметри швидкостей витягування та обертання дозволяють отримувати об’ємні монокристали.
Техніко-економічний ефект. Розроблена технологія дозволяє отримати великогабаритні діелектричні кристали, які використовують на приладобудівних підприємствах у пристроях для техніки оборонного, космічного та спеціального призначення. Ефективні вітчизняні функціональні матеріали допоможуть зберегти кошти на закупівлю аналогів за кордоном. Дозволить підвищити вихід бездефектних кристалів на 20 %
Опис. Готується шихта із хімічних сполук. Суміш синтезується двостадійно. З отриманої шихти, яку завантажують у внутрішній тигель, на монокристалічну затравку. Після чого два конічні тиглі розміщують один в одному. Внутрішній тигель заповнюють вихідною шихтою, а простір між внутрішнім тиглем та стінкою зовнішнього заповнюється сполукою з нижчою температурою плавлення. Монокристал вирощують за методом Чохральського.